结构不同的字有哪些

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...结构屋顶结构及施工方法专利,便于屋顶机构人字梁落位安装时位置调节广州市房屋开发建设有限公司申请一项名为“一种钢结构的屋顶结构及施工方法”的专利,公开号CN 118774312 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本申请涉及钢结构建筑施工的技术领域,针对传统钢结构建筑屋顶结构中的人字梁安装落位时位置调节较为不便的问题,提出了一种还有呢?

...申请超长指令处理器的指令发射方法及发射装置专利,具有硬件结构...本发明公开了一种超长指令字处理器的指令发射方法及发射装置,该方法包括:步骤S1:根据缓冲区空满判断是否接收取指部件送入的取指包,将输还有呢? 步骤S4:对步骤S3每条激活处理的指令进行运算单元选择,将指令输出至对应的运算部件。该装置用来实施上述方法。本发明具有硬件结构简单还有呢?

长江存储申请制作三维存储器的字线连接区的方法及三维存储器专利,...长江存储科技有限责任公司申请一项名为“制作三维存储器的字线连接区的方法及三维存储器”的专利,公开号CN 118785714 A,申请日期为2018年6月。专利摘要显示,本发明涉及一种形成三维存储器的字线连接区的方法及三维存储器。该方法包括以下步骤:提供半导体结构,半导体结后面会介绍。

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长鑫存储取得半导体储存器结构及其字线制造方法专利,采用新技术...长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器结构及其字线制造方法“授权公告号CN110534480B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示,本发明提供一种半导体储存器结构及其字线制造方法,该制造方法在衬底中制备出多重式的字线凹槽,字线凹槽由深度不同的第一字线凹槽与后面会介绍。

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长鑫存储申请半导体结构的制备方法及半导体结构专利,增加单个存储...目标栅极沟槽的沿第二方向延伸的侧壁包括由内至外依次叠置的第一子侧壁及第二子侧壁;于目标栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的两个沿第二方向间隔的栅极结构。本公开至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下,增加单个存储单元结构中栅极结构与字线结构的厚度后面会介绍。

创作时记不住字的结构?我有妙招,老师拿出压箱底的方法创作时记不住字?我有妙招!亲爱的朋友们大家好,欢迎来到止水草堂。今天来讲一下创作时候的结构处理。很多人在写写创作或者是自己写字离开字帖的时候总是会想不起自己所练字帖的字,今天就讲一下把平时练的字不记不住的人,很多人是记不住的,怎样创作?以这个字为例,大家看一下是什么。

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三星取得集成电路器件及其制造方法专利,实现字线结构、绝缘结构、...金融界2024年3月13日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“集成电路器件及其制造方法“授权公告号CN110911416B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示,一种集成电路器件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。字线结构和绝缘结构彼此交错还有呢?

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长鑫存储申请半导体结构制备方法及半导体结构专利,增加字线结构所...第二沟槽隔离结构及第三沟槽隔离结构;形成底面接触衬底上表面的两个间隔的栅极沟槽,目标半导体层位于栅极沟槽内的部分裸露并悬空;于栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的栅极结构。本公开实施例至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下,增加字线结构所占空间体等我继续说。

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长鑫存储取得字线引出结构及其制备方法专利,可以减小字线引出结构...金融界2023年12月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“字线引出结构及其制备方法“授权公告号CN113745193B,申请日期为2020年5月。专利摘要显示,本申请涉及一种字线引出结构及其制备方法,在衬底上形成沿X轴方向延伸的字线;形成沿Y轴方向等我继续说。

长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,专利技术能有效提高字线...该半导体结构包括衬底和多条字线;多条字线均沿第一方向延伸,且沿第二方向间隔设置于衬底上,每相邻两条字线之间均设置有字线隔离结构;字线隔离结构至少包括沿第二方向层叠设置的第一隔离层和第二隔离层,第一隔离层和第二隔离层的材料不同,第一方向和第二方向相互交叉。本公等我继续说。

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